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Infineon SI4435DYTRPBF MOSFET

訂 貨 號:SI4435DYTRPBF      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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Infineon SI4435DYTRPBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

P 通道功率 MOSFET 30V,Infineon

Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 P 通道設(shè)備,外形可應(yīng)對幾乎任何板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)。 在整個范圍內(nèi),基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

International Rectifier 的這些 P 溝道 HEXFET 功率 MOSFET 利用最新加工工藝在單位硅面積實現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻。此優(yōu)勢為設(shè)計人員提供及其高效地設(shè)備,用于電池和負(fù)載管理應(yīng)用。SO-8 經(jīng)改良通過自定義引線框增強熱特性和多模能力,特別適合各種電源應(yīng)用。憑借這些改進,用戶可以在應(yīng)用中使用多個設(shè)備,顯著減少板空間。該封裝設(shè)計用于汽相、紅外線或波峰焊接工藝。

優(yōu)點:
P 溝道 MOSFET

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 8 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SO
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 35 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 2.5 W
晶體管配置
最大柵源電壓 20 V
寬度 4mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 40 nC @ 10 V
長度 5mm
暫無

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