英飛凌 OptiMOS? 5 N 溝道邏輯電平功率 MOSFET 具有 100 V 漏源電壓（VDS）和 44 A 漏電流（ID）。邏輯電平的功率 MOSFET 非常適用于充電、適配器和電信應用。設備的低柵極充電可減少切換損耗，不會影響傳導損耗。邏輯電平 MOSFET 允許在高切換頻率下操作，由于柵極閾值電壓低，可直接從微控制器驅動。
經優化，適合高性能 SMPS（例如，同步錄音）
100% 通過雪崩測試
卓越的熱阻
N 溝道，邏輯電平
無鉛引線鍍層
符合 RoHS
符合 IEC61249-2-21 無鹵素
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 44 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | PG-TDSON |
| 安裝類型 | 表面安裝器件 |
