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英飛凌 OptiMOS? 5 N 溝道功率 MOSFET 具有 60 V 漏源電壓（VDS）和 101 A 漏電流（ID）。邏輯電平非常適合無線充電、適配器和電信應(yīng)用。設(shè)備的低柵極充電（Qg）可減少切換損耗，不會影響傳導(dǎo)損耗。品質(zhì)因數(shù)改進(jìn)，允許在高切換頻率下操作。此外，邏輯電平驅(qū)動器提供低柵極閾值電壓（V GS（th）），允許在 5 V 條件下直接從微控制器驅(qū)動 MOSFET。

經(jīng)優(yōu)化，適合高性能 SMPS（例如，同步錄音）
100% 通過雪崩測試
卓越的熱阻
N 溝道
針對目標(biāo)應(yīng)用，符合 JEDEC1 標(biāo)準(zhǔn)
無鉛引線鍍層
符合 RoHS
符合 IEC61249-2-21 無鹵素