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onsemi NVMJS1D5N04CLTWG MOSFET

訂 貨 號：NVMJS1D5N04CLTWG      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

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onsemi NVMJS1D5N04CLTWG MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引線封裝，設計用于緊湊型高效設計，包括高熱性能。可潤側翼選件可用于增強型光學檢驗。支持 MOSFET 和 PPAP，適用于汽車應用。

體積小巧 (5 x 6 mm)，可實現(xiàn)緊湊設計
低 RDS（接通），可最大限度地減少傳導損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅動器損耗
LFPAK8 封裝、工業(yè)標準
支持 PPAP
這些設備無鉛


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 200 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 LFPAK
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 2.2 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1.2V
最大功率耗散 110 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 4.9mm
長度 5mm
典型柵極電荷@Vgs 70 nC @ 10 V
暫無

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