Infineon BSS138WH6327XTSA1 MOSFET
產品詳細信息
英飛凌可實現 SIPMOS 小信號晶體管、N 溝道型、增強模式。該器件具有 dv /dt 等級和無鉛鍍層。它具有60 V的 Vds，Rds（接通）最大值是3.5 Ω，ID為0.28 A。它無鹵、P 溝道型增強模式晶體管，廣泛用于高切換應用。它具有雪崩等級和無鹵。
100% 無鉛
最大功耗為 360mW
| 屬性 |
數值 |
| 通道類型 |
N |
| 最大連續漏極電流 |
280 mA |
| 最大漏源電壓 |
60 V |
| 封裝類型 |
SOT-323 |
| 安裝類型 |
表面貼裝 |
