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訂 貨 號(hào):FDT4N50NZU 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
ON Semiconductor UniFET II 高電壓 MOSFET 基于 Advanced 平面磁條和 DMOS 技術(shù)。此 Advanced MOSFET 在平面 MOSFET 中具有最小的通態(tài)電阻,還提供卓越的切換性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。它適用于開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,如功率因數(shù)校正,平板顯示屏,電視電源, ATX 和電子燈鎮(zhèn)流器。
超低柵極電荷
通過(guò) 100% 雪崩測(cè)試
無(wú)鉛?Ω
無(wú)鹵素
符合 RoHS
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類(lèi)型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 2 A |
最大漏源電壓 | 500 V |
封裝類(lèi)型 | SOT-223 |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 3. Ω |
最大柵閾值電壓 | 5.5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |