低 VCEsat (BISS) 單結(jié)功率晶體管滿足高效運行的要求。在大功率系統(tǒng)中,節(jié)能運行對低功耗應(yīng)用同樣重要。通過最大限度地降低功耗和散熱,我們的 BISS 解決方案可幫助您應(yīng)對這一設(shè)計挑戰(zhàn)。
100 V,3A PNP 大功率雙極晶體管,NPN 大功率雙極晶體管采用 SOT669 (LFPAK56) 表面貼裝器件 (SMD) 功率塑料封裝。PNP 互補型:PHPT61003PY
高熱功耗能力
適用于高達(dá) 175 °C 的高溫應(yīng)用
與 DPAK 封裝的晶體管相比,減少了印刷電路板 (PCB) 的需要
由于產(chǎn)生較少的熱量,因此具有高能源效率
符合 AEC-Q101
電源管理
負(fù)載開關(guān)
線性模式電壓調(diào)節(jié)器
背光應(yīng)用
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
晶體管類型 | PNP |
最大直流集電極電流 | -3 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | -100 V |
封裝類型 | LFPAK56, SOT669 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
最大功率耗散 | 25 W |
最小直流電流增益 | 150 |
晶體管配置 | 單 |
最大集電極-基極電壓 | -100 V |
最大發(fā)射極-基極電壓 | -8 V |
最大工作頻率 | 125 MHz |
引腳數(shù)目 | 4 + Tab |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |