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訂 貨 號(hào):IRF6729MTR1PBF 品牌:IR/國(guó)際整流器
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
DirectFET? 電源封裝是表面安裝功率 MOSFET 封裝技術(shù)。 DirectFET? MOSFET 是先進(jìn)切換應(yīng)用中減少能耗同時(shí)縮小設(shè)計(jì)印跡的解決方案。
在各個(gè)印跡中均具有行業(yè)最低的導(dǎo)通電阻
封裝電阻極低,盡量減少傳導(dǎo)損耗
高效雙面冷卻可顯著提高功率密度、降低成本和增加可靠性
薄型,僅 0.7mm
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 190 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | DirectFET MX |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 5 |
最大漏源電阻值 | 2.7 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2.35V |
最小柵閾值電壓 | 1.35V |
最大功率耗散 | 104 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
典型柵極電荷@Vgs | 42 nC @ 4.5 V |
寬度 | 5.05mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
最高工作溫度 | +150 °C |
長(zhǎng)度 | 5.45mm |