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Infineon 700V coolmos ? P7 超結(jié) mosfet 系列與當(dāng)今使用的超級(jí)結(jié)點(diǎn)技術(shù)相比，具有基本的性能提升，可滿(mǎn)足低功率 smp 市場(chǎng)的需求，例如手機(jī)充電器或筆記本電腦適配器。通過(guò)將客戶(hù)的反饋與 20 多年的超結(jié) mosfet 經(jīng)驗(yàn)相結(jié)合， 700V coolmos ? P7 能夠在效率和散熱性方面最適合目標(biāo)應(yīng)用，易于使用的 emi 行為。

極低的 fom r ds （ on ） x e oss 降低 q g 、 e 和 e
高性能技術(shù)
低切換損耗（ e oss ）
高效
極佳的熱行為
允許高速切換
集成保護(hù)齊納二極管
優(yōu)化的 3V v （ gs ） th 具有非常窄的容差 ±0.5 v
精細(xì)分級(jí)產(chǎn)品組合