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Vishay SIR120DP-T1-RE3 MOSFET

訂 貨 號：SIR120DP-T1-RE3      品牌：Vishay/威世

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

RoHS：符合

市 場 價：￥0.00          品 牌 商：￥0.00

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公司基本資料信息

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Vishay SIR120DP-T1-RE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

N 通道 80V (D-S) MOSFET 。

TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
RDSX QG 極低功耗 (FOM)
針對最低的 RDS X QOSS FOM 進行了調(diào)整


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 106 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 PowerPAK SO
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 4.5mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 3.5V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 100 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
寬度 5mm
長度 5.99mm
典型柵極電荷@Vgs 62.5 NC @10 V
暫無
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