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    ESD放電造成微電子電路損傷的模式金屬布線與擴(kuò)散區(qū)(或多晶)接觸孔產(chǎn)生火花，使金屬和硅的歐姆接觸被破壞。

    使節(jié)點(diǎn)的溫度超過半導(dǎo)體硅的熔點(diǎn)(1415℃)時(shí),使硅熔解，產(chǎn)生再結(jié)晶，造成器件短路。

    金屬化電極和布線熔解、球化，造成電路開路。

    大電流流過PN結(jié)產(chǎn)生焦耳熱，使結(jié)溫升高，形成熱斑或熱奔；

    導(dǎo)致器件損壞靜電放電引發(fā)的瞬時(shí)大電流(靜電火花)引燃引爆易燃、易爆氣體混合物或電火工品，造成意外燃燒、爆炸事故。

    靜電放電使人體遭受電擊引發(fā)操作失誤造成二次事故、靜電場的庫侖力作用使紡織、印刷、塑料包裝等自動化生產(chǎn)線受阻。

    第三類靜電危害是由于靜電放電的電磁輻射或靜電放電電磁脈沖對電子設(shè)備造成的電磁干擾引發(fā)的各種事故。

    一般說來，靜電放電都是在微秒或鈉秒量級完成的，因此這一過程是一種絕熱過程；

    放電瞬間通過回路的大電流，形成局部的高溫?zé)嵩础?/p>

    對微電子器件而言，其靜電放電能量通過器件集中釋放，其平均功率可達(dá)幾千瓦；

    熱量很難從功率耗散面向外擴(kuò)散，因而在器件內(nèi)形成大的溫度梯度，造成局部熱損傷，電路性能變壞或失效。

標(biāo)簽:                                    半導(dǎo)體