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　　在嵌入式電路設(shè)計(jì)中，很少使用到功率放大電路，昨天將大學(xué)模電教材晶體管內(nèi)容通讀后有所感悟，雖然當(dāng)時(shí)模電自認(rèn)為學(xué)的不錯(cuò)但重讀之后才發(fā)現(xiàn)當(dāng)時(shí)只是死記硬背而沒(méi)有真正領(lǐng)悟。

　　靜態(tài)工作點(diǎn)不但決定是否會(huì)失真，而且還影響電壓放大倍數(shù)、輸入電阻等動(dòng)態(tài)參數(shù)。然而在實(shí)際電路中由于環(huán)境溫度的變化而使得靜態(tài)工作點(diǎn)補(bǔ)穩(wěn)定，從而使得動(dòng)態(tài)參數(shù)不穩(wěn)定，更嚴(yán)重可能造成電路不能正常工作;在所有環(huán)境因素中，溫度對(duì)動(dòng)態(tài)參數(shù)的影響是最大的。

　　當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體管放大倍數(shù)變大且ICE明顯變大。以共射極電路為例，當(dāng)溫度升高時(shí)將使Q點(diǎn)向飽和區(qū)域移動(dòng);當(dāng)溫度降低時(shí)將使Q點(diǎn)向截止區(qū)域移動(dòng)。

　　下圖是典型的靜態(tài)工作點(diǎn)電路

　　圖AB均有相同的等效直流電路。為了穩(wěn)定Q工作點(diǎn)，通常要滿(mǎn)足I1>>IBQ而使得

　　VBQ =Rb1*VCC/ Rb2+ Rb1

　　通過(guò)這樣設(shè)計(jì)使得無(wú)論環(huán)境溫度怎么變化，VBQ將基本保持不變。

　　當(dāng)溫度升高時(shí)ICE變大，而使得VEQ變大，因VBE=VBQ – VEQ所以VBE將變小;由于VBE變小故IBE也將變小，從而ICE將變小。

　　RE的使用將直流負(fù)反饋引入使得Q工作點(diǎn)越穩(wěn)定，一般而言是反饋越強(qiáng)，Q點(diǎn)越穩(wěn)定。

　　其他穩(wěn)定Q工作點(diǎn)電路

　　以上為利用二極管方向特性和正向特性進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)碾娐贰?/p>

　　對(duì)圖A而言，因?yàn)镮RB=ID+IBE,當(dāng)溫度上升時(shí)ICE和ID變大(方向電流隨溫度升高變大)，這樣將使得IBE減小而造成ICE減小。